IRFD024
Symbol Micros:
TIRFD024
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD024PBF RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,9000 | 2,3200 | 1,9900 | 1,8800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD024PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1479 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD024PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
2100 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |