IRFD024

Symbol Micros: TIRFD024
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFD024PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9500 2,9000 2,3200 1,9900 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFD024PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1479
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFD024PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnętrzny:
2100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT