IRFD110

Symbol Micros: TIRFD110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD110PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 540mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 540mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT