IRFD120

Symbol Micros: TIRFD120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD120PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFD120 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0400 1,9100 1,5800 1,4100 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFD120PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFD120PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnętrzny:
1105 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT