IRFD120
Symbol Micros:
TIRFD120
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD120PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD120 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,0400 | 1,9100 | 1,5800 | 1,4100 | 1,3200 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD120PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4980 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD120PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
1105 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |