IRFD120

Symbol Micros: TIRFD120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD120PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFD120 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,5500 1,2500 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100/200
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFD120PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5192
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT