IRFD9110
Symbol Micros:
TIRFD9110
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 700mA; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD9110PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD9110 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4500 | 1,3600 | 1,0700 | 1,0100 | 0,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |