IRFF420

Symbol Micros: TIRFF420
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HEXFET 500V 1,50A 3,0Ω
Parametry
Napięcie dren-źródło [Uds]: 500V
Prąd drenu: 1,5A
Rezystancja drenu (Rds on): 3 Ohm
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Napięcie dren-źródło [Uds]: 500V
Prąd drenu: 1,5A
Rezystancja drenu (Rds on): 3 Ohm

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta