IRFH708TRPBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRFH7085
Obudowa: PQFN6
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,6mOhm; 147A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 147A |
| Maksymalna tracona moc: | 156W |
| Obudowa: | PQFN6 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFH7085TR RoHS
Obudowa dokładna: PQFN6
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1400 | 5,3000 | 4,6300 | 4,3000 | 4,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFH7085TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN6
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 147A |
| Maksymalna tracona moc: | 156W |
| Obudowa: | PQFN6 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |