IRFHM9331 Infineon

Symbol Micros: TIRFHM9331
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
P-MOSFET 30V 14,6mΩ 2.8W IRFM9331TRPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFHM9331TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm)  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD