IRFHS9301

Symbol Micros: TIRFHS9301
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PQFN06(2x2)
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TR2PBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: -6,6A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: PQFN6
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFHS9301TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)  
Magazyn zewnętrzny:
2800 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,9285
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFHS9301TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)  
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6047
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: -6,6A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: PQFN6
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD