IRFHS9351

Symbol Micros: TIRFHS9351
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PQFN06(2x2)
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TR2PBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: -5,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: PQFN6
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: -5,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: PQFN6
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD