IRFI4020H-117P TO220/5Qiso
Symbol Micros:
TIRFI4020h-117p
Obudowa: TO220/5Q iso
Tranzystor 2xN-MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 9,1A; 21W; -55°C ~ 150°C; IRFI4020H-117PXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 21W |
| Obudowa: | TO220/5Q iso |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI4020H-117P RoHS
Obudowa dokładna: TO220/5Q iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 | 6,1900 | 5,4900 | 5,2500 | 5,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI4020H-117PXKMA1
Obudowa dokładna: TO220/5Q iso
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 21W |
| Obudowa: | TO220/5Q iso |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |