IRFI4227PBF
Symbol Micros:
TIRFI4227
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 26A; 46W; -40°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 26A |
Maksymalna tracona moc: | 46W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI4227 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 50+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,9200 | 5,4300 | 4,5800 | 4,3000 | 4,0700 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI4227 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 38+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,9200 | 5,4000 | 4,5300 | 4,2500 | 4,0700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI4227PBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,2270 |
Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 26A |
Maksymalna tracona moc: | 46W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |