IRFI530GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFI530g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFI530GPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2700 | 2,0700 | 1,6300 | 1,4900 | 1,4200 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFI530GPBF
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5912 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |