IRFI9630GPBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFI9630g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220FP
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,3A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO220FP
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI9630GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,5200 3,3100 2,6600 2,2800 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO220FP
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT