IRFL014N
Symbol Micros:
TIRFL014n
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFL014
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3;
Producent:
Siliconix
Symbol producenta:
IRFL014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5700 | 1,3100 | 1,1600 | 1,0900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
IRFL014NTRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3; IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRFL014NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
150 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,9800 | 1,2000 | 0,9200 | 0,8300 | 0,7900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)