IRFL024N

Symbol Micros: TIRFL024n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL024NTRPBF; IRFL024NPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFL024NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,3400 1,0600 0,9990 0,9670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL024NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL024NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD