IRFL024N
Symbol Micros:
TIRFL024n
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL024NTRPBF; IRFL024NPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFL024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4200 | 1,3400 | 1,0600 | 0,9990 | 0,9670 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL024NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9670 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL024NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9670 |
Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |