IRFL4105
Symbol Micros:
TIRFL4105
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4105PBF-GURT; IRFL4105TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFL4105TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0300 | 1,6000 | 1,4600 | 1,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4105TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8443 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |