IRFL4105
Symbol Micros:
TIRFL4105
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4105PBF-GURT; IRFL4105TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFL4105TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
185 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5400 | 2,0000 | 1,8100 | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4105TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1450 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4105TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |