IRFL4315

Symbol Micros: TIRFL4315
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4315PBF; IRFL4315TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFL4315 RoHS Obudowa dokładna: SOT223  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 80+ 320+
cena netto (PLN) 5,1100 3,5700 3,0300 2,7900 2,6900
Sposób pakowania:
80/320
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD