IRFL4315TRPBF

Symbol Micros: TIRFL4315
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4315PBF; IRFL4315TRPBF; IRFL4315;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFL4315PBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,9700 2,6400 2,1800 1,9700 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL4315TRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL4315TRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD