IRFL9110
Symbol Micros:
TIRFL9110
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
5800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8946 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |