IRFP064NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP064n JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP064PBF; IRFP064NPBF; SP001554926;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO247
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: IRFP064NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 7,0100 4,9000 4,0300 3,8800 3,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO247
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta