IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP250PBF; IRFP250;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalna tracona moc: 190W
Maksymalny prąd drenu: 30A
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP250PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
130 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,1900 8,0900 7,2300 6,9100 6,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
5 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 8,1915
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
2609 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
325 szt.
ilość szt. 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
2634 szt.
ilość szt. 150+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 7,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalna tracona moc: 190W
Maksymalny prąd drenu: 30A
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT