IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP250PBF; IRFP250;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP250PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0000 6,3500 5,6800 5,4300 5,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
623 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
ilość szt. 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-04
Ilość szt.: 100
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT