IRFP250N

Symbol Micros: TIRFP250n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 75mOhm; 30A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP250NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalna tracona moc: 214W
Maksymalny prąd drenu: 30A
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
600 szt.
ilość szt. 400+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
61043 szt.
ilość szt. 175+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
1565 szt.
ilość szt. 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,4297
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalna tracona moc: 214W
Maksymalny prąd drenu: 30A
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT