IRFP260MPBF

Symbol Micros: TIRFP260m
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP260MPBF; IRFP260M;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP260MPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 125+ 250+
cena netto (PLN) 8,2300 6,0900 5,2500 4,9100 4,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/125
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP260MPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
3199 szt.
ilość szt. 125+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP260MPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
140 szt.
ilość szt. 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,1692
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-01-31
Ilość szt.: 250
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT