IRFP32N50K

Symbol Micros: TIRFP32n50k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247AC
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP32N50KPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 460W
Obudowa: TO247AC
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP32N50K RoHS Obudowa dokładna: TO 3P karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 25+ 50+
cena netto (PLN) 43,8900 41,6300 40,1900 39,5300 39,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP32N50K RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
23 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 25+ 50+
cena netto (PLN) 43,8900 41,6300 40,1900 39,5300 39,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 460W
Obudowa: TO247AC
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT