IRFP3710
Symbol Micros:
TIRFP3710
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3710PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP3710 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
550 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4000 | 6,2300 | 5,3700 | 5,0600 | 4,9400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP3710PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
5650 szt.
| ilość szt. | 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP3710PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
495 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2966 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |