IRFP4110

Symbol Micros: TIRFP4110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
133 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 150+
cena netto (PLN) 22,6500 18,0700 16,1100 15,6500 15,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/150
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT