IRFP4110

Symbol Micros: TIRFP4110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
23 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 196+
cena netto (PLN) 11,1900 9,2100 8,3900 8,0800 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/150
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP4110PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
196 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 196+
cena netto (PLN) 11,1900 9,2100 8,3900 8,0800 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/196
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
ilość szt. 400+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
360 szt.
ilość szt. 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
50 szt.
ilość szt. 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta