IRFP4229
Symbol Micros:
TIRFP4229
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 30V; 46mOhm; 44A; 310W; -40°C ~ 175°C; IRFP4229PBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 46mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 44A |
Maksymalna tracona moc: | 310W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP4229 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 17,4000 | 13,9300 | 12,4300 | 11,8500 | 11,6800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4229PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
20 szt.
ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 11,6800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4229PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
4847 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 11,6800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 46mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 44A |
Maksymalna tracona moc: | 310W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |