IRFP4229

Symbol Micros: TIRFP4229
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 30V; 46mOhm; 44A; 310W; -40°C ~ 175°C; IRFP4229PBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 46mOhm
Maksymalny prąd drenu: 44A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP4229 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 17,4000 13,9300 12,4300 11,8500 11,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 46mOhm
Maksymalny prąd drenu: 44A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT