IRFP450
Symbol Micros:
TIRFP450
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 400mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP450PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFP450 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,2700 | 5,3900 | 5,0800 | 4,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP450PBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP450APBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
650 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP450APBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
262 szt.
ilość szt. | 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |