IRFP4868PBF INFINEON
Symbol Micros:
TIRFP4868
Obudowa: TO247
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP4868PBF; IRFP4868PBFAKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 517W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 300V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP4868 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
19 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 27,4800 | 24,6500 | 23,4000 | 23,1100 | 22,9000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4868PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 22,9000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 517W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 300V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |