IRFP90N20DPBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRFP90n20d JSM
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 30mOhm; 95A; 600W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP90N20DPBF; SP001552070;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 95A |
| Maksymalna tracona moc: | 600W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 220V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: JSMSEMI
Symbol producenta: IRFP90N20DPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,4900 | 8,3200 | 7,3900 | 7,0600 | 6,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 95A |
| Maksymalna tracona moc: | 600W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 220V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRFP90N20D
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 23mOhm; 94A; 580W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP90N20DPBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFP90N20DPBF
Obudowa dokładna:
TO247
Stan magazynowy
4275 szt.
| Ilość szt. | 400+ |
| cena netto (PLN) | 8,1079 |
Sposób pakowania: 400
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFP90N20DPBF
Obudowa dokładna:
TO247
Stan magazynowy
140 szt.
| Ilość szt. | 5+ |
| cena netto (PLN) | 12,6717 |
Sposób pakowania: 5
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFP90N20DPBF
Obudowa dokładna:
TO247
Stan magazynowy
6122 szt.
| Ilość szt. | 75+ |
| cena netto (PLN) | 8,4452 |
Sposób pakowania: 25
Ilość (wielokrotność 1)