IRFPC50

Symbol Micros: TIRFPC50
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPC50PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFPC50PBF Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
195 szt.
ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2475
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFPC50PBF Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
410 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,9325
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT