IRFPF50PBF
Symbol Micros:
TIRFPF50
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 1,6Ohm; 6,7A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPF50PBF; IRFPF50;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFPF50PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,2700 | 11,4100 | 10,6100 | 10,3000 | 10,2100 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFPF50PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
14376 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,2100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |