IRFPG40
Symbol Micros:
TIRFPG40
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 3,5Ohm; 4,3A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPG40PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFPG40 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,8900 | 7,6000 | 6,6600 | 6,3200 | 6,1800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFPG40PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1215 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,3874 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFPG40PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
346 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |