IRFR014

Symbol Micros: TIRFR014
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014TRPBF; IRFR014TRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: TO252
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFR014PBF RoHS Obudowa dokładna: TO252  
Stan magazynowy:
600 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 600+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3100 1,2100 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/600
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFR014PBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnętrzny:
450 szt.
ilość szt. 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,5925
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: TO252
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta