IRFR014
Symbol Micros:
TIRFR014
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014TRPBF; IRFR014TRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFR014PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252
Stan magazynowy:
600 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7300 | 1,3100 | 1,2100 | 1,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFR014TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014PBF-BE3; IRFR014TRPBF; IRFR014TRPBF-BE3; IRFR014TRLPBF; IRFR014TRLPBF-BE3;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRFR014TRPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7500 | 1,1400 | 0,8200 | 0,7170 | 0,6720 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
IRFR014TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014PBF-BE3; IRFR014TRPBF; IRFR014TRPBF-BE3; IRFR014TRLPBF; IRFR014TRLPBF-BE3;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
IRFR014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,8400 | 1,2100 | 0,8650 | 0,7560 | 0,7090 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)