IRFR1018E

Symbol Micros: TIRFR1018e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1018EPBF; IRFR1018EPBF-GURT; IRFR1018ETRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR1018ETRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0285
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR1018ETRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3877
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta