IRFR1205TRLPBF

Symbol Micros: TIRFR1205

Obudowa: TO252

Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	27mOhm
Maksymalna tracona moc:	107W
Maksymalny prąd drenu:	44A
Obudowa:	TO252
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR1205 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

500 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	500+
cena netto (PLN)	3,6300	2,2900	1,8000	1,6300	1,5800

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR1205 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

8 szt.

ilość szt.	2+	10+	43+	172+	731+
cena netto (PLN)	4,0000	2,5300	2,0200	1,8300	1,7400

Rezystancja otwartego kanału:	27mOhm
Maksymalna tracona moc:	107W
Maksymalny prąd drenu:	44A
Obudowa:	TO252
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD