IRFR120N

Symbol Micros: TIRFR120n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120NPBF-GURT
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
938 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta