IRFR120N
Symbol Micros:
TIRFR120n
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120NPBF-GURT
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
Maksymalna tracona moc: | 48W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
308 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,1600 | 0,8910 | 0,8040 | 0,7650 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,1600 | 0,8910 | 0,8040 | 0,7650 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR120NTRLPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2385 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR120NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3257 |
Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
Maksymalna tracona moc: | 48W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |