IRFR120N

Symbol Micros: TIRFR120n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120NPBF-GURT
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
308 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,1600 0,8910 0,8040 0,7650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,1600 0,8910 0,8040 0,7650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR120NTRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2385
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR120NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3257
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD