IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRFR3607 MOS
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFR3607TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TRPBF-ML; IRFR3607TRPBF-VB;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRFR3607TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
| cena netto (PLN) | 5,0600 | 3,3700 | 2,7900 | 2,5100 | 2,4100 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR3607TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
680000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,4100 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR3607TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
10000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,4100 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR3607TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
900 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 2,4100 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)