IRFR3707Z

Symbol Micros: TIRFR3707z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 56A 30V 50W IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF-GURT
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 56A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 9,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 56A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD