IRFR3710ZTRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRFR3710z JGS
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 62W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 62W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFR3710ZPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZPBF-GURT;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRFR3710ZTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
Stan magazynowy
180 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 4,9100 | 3,2500 | 2,6900 | 2,4200 | 2,3400 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)
IRFR3710ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRFR3710ZTRPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,3600 | 2,1300 | 1,6800 | 1,5300 | 1,4600 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)