IRFR3910
Symbol Micros:
TIRFR3910
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3910TRPBF; IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 115mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR3910TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0620 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR3910TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9301 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 115mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |