IRFR4105
Symbol Micros:
TIRFR4105
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR4105 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2200 | 2,0400 | 1,6100 | 1,4700 | 1,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR4105TR RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
598 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2200 | 2,0400 | 1,6100 | 1,4700 | 1,4000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |