IRFR4105

Symbol Micros: TIRFR4105
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR4105 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0400 1,6100 1,4700 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR4105TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
600 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0400 1,6100 1,4700 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD