IRFR430A
Symbol Micros:
TIRFR430 a
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 500V 5A 110W IRFR430APBF IRFR420ATRLPBF IRFR420ATRPBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFR430ATRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5356 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFR430APBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2325 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9628 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |