IRFR6215

Symbol Micros: TIRFR6215
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 150V; 20V; 580mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR6215TRPBF; IRFR6215PBF; IRFR6215PBF-GURT; IRFR6215TRLPBF; IRFR6215TRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 580mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR6215TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3846
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR6215TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3846
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR6215TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3293
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 580mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD