IRFRC20 smd

Symbol Micros: TIRFRC20
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFRC20TRPBF; IRFRC20TRRPBF; IRFRC20TRLPBF; IRFRC20PBF; IRFRC20PBF-BE3; IRFRC20TRLPBF-BE3; IRFRC20TRPBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFRC20PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1328 szt.
ilość szt. 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFRC20PBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7200 1,6000 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/975
Producent: - Symbol producenta: IRFRC20PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2700 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: - Symbol producenta: IRFRC20TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Typ tranzystora: N-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 2A
Moc: 42W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4.4Ω
Obudowa: TO252t/r
Montaż: SMD