IRFS3107

Symbol Micros: TIRFS3107
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS3107PBF; IRFS3107TRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 230A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFS3107TRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 15,9800 14,2000 13,1400 12,6100 12,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 230A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD