IRFS3306

Symbol Micros: TIRFS3306
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS3306TRLPBF; IRFS3306PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFS3306 RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,2800 8,1600 7,3700 6,9800 6,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS3306TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
2848 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS3306TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD