IRFS3307Z
Symbol Micros:
TIRFS3307Z
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 75V 120A 230W IRFS3307ZTRRPBF IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRRPBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3307ZTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
120 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8321 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3307ZTRRPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1604 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |