IRFS4115

Symbol Micros: TIRFS4115
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 20V; 12,1mOhm; 99A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4115TRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 99A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4115TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
13600 szt.
ilość szt. 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,3959
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4115TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
150 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 5,7661
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 12,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 99A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD