IRFS4227

Symbol Micros: TIRFS4227
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4227PBF; IRFS4227TRLPBF; IRFS4227PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 26mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFS4227TRL RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,2400 6,5400 5,9100 5,5900 5,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4227TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
820 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 5,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4227TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
72000 szt.
ilość szt. 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 5,9797
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 26mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: SMD