IRFU1N60APBF

Symbol Micros: TIRFU1N60A
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: IPAK
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFU1N60A RoHS Obudowa dokładna: IPAK  
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8200 2,4000 2,0400 1,7700 1,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: IPAK
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT